关于TQ2440的flash算法问题

我有几个问题想向大家请教下（第一个问题是最主要的，所以拿它做标题）：
  1.在MDK下烧写程序，遇到这样的状况：我用Jlink烧写，小程序可以烧写到norflash里正常运行，但70k的目标文件在烧写时，老是提示flash timeout ，后来网上查阅了下，是MDK里没有合适的flash算法，要自己写，我想请问大家怎么解决这个问题的呢？要改flash算法的哪些代码?
   2.在MDK中设置RAM for Algorithm时，start：0x40000000，size:0x1000,不这样设的话就会出问题，这是为什么呢？

norflash启动时，s3c2440的内部4kbram映射到0x40000000处，你的flash算法就是被MDK烧写到这个地址上的。只有这样，程序才能别写到norflash或者nandflash上。

connortao 发表于 2012-4-15 23:04
norflash启动时，s3c2440的内部4kbram映射到0x40000000处，你的flash算法就是被MDK烧写到这个地址上的。只有 ...

哦，那我就有两个疑问了
1.当我想用nandflash启动时，由于4k的ram要用来做引导区，那flash算法不是会被覆盖了吗？
2.我现在遇到的问题是大程序不能成功的烧到norflash里，那要怎么改写flash算法呢？

蓝海 发表于 2012-4-16 20:08
哦，那我就有两个疑问了
1.当我想用nandflash启动时，由于4k的ram要用来做引导区，那flash算法不是会被覆 ...

第一个疑问不算疑问：你启动时，说明程序已经下载到flash中了，flash算法是每次下载时都会down到ram里的。
第二个疑问：我想是你的算法没有针对你的norflash芯片写的吧，你看看MDK自带的算法，你改改，只要有示例、然后裸机你也能操作你的norflash，我想是很容易写出你自己的norflash烧写算法的。

:lol,我在修改flash的算法，谢谢你的解答

楼主，你重点检查Flash的读写时序吧。

亚瑟王 发表于 2012-4-18 15:52
楼主，你重点检查Flash的读写时序吧。

额，关键的问题是，烧写小代码的时候没出现问题，烧写稍微大点代码就出现“flash time out！”的错误，我想这应该不是读写时序的问题，我网上查了下子，flash算法不合适的话会出现这种问题。大家没遇到这种问题吗？我现在改用JLINK烧写大的代码，用MDK烧写搞不定